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MCR08BT1G中文资料

MCR08BT1G图片

MCR08BT1G外观图

  • 大小:215.6KB
  • 厂家:ON Semiconductor
  • 描述: Thyristor; Peak Repetitive Off-State Voltage, Vdrm:200V; Gate Trigger Current Max, Igt:0.2mA; Current, It av:0.8A; On State RMS Current, IT(rms):0.8A; Gate Trigger Voltage Max, Vgt:0.8V; Leaded Process Compatible:Yes ;RoHS Compliant: Yes
  • 标准包装:1,000
  • 类别:分离式半导体产品
  • 家庭:SCR - 单个
  • 系列:-
  • SCR 型:灵敏栅极
  • 电压 - 断路:200V
  • 电压 - 栅极触发器 (Vgt)(最大):800mV
  • 电压 - 导通状态 (Vtm)(最大):1.7V
  • 电流 - 导通状态 (It (AV))(最大):-
  • 电流 - 导通状态 (It (RMS))(最大):800mA
  • 电流 - 栅极触发电流 (Igt)(最大):200µA
  • 电流 - 维持(Ih):5mA
  • 电流 - 断开状态(最大):10µA
  • 电流 - 非重复电涌,50、60Hz (Itsm):8A @ 60Hz
  • 工作温度:-40°C ~ 110°C
  • 安装类型:表面贴装
  • 封装/外壳:TO-261-4,TO-261AA
  • 供应商设备封装:SOT-223
  • 包装:带卷 (TR)
  • 其它名称:MCR08BT1GOSTR

MCR08BT1G供应商

更新时间:2023-02-01 04:58:17
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